Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Zakharchuk D$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Zakharchuk D. A. Changing of the anisotropy parameter of mobility in n-Ge single crystals with heterogeneous distribution of doping impurity [Електронний ресурс] / D. A. Zakharchuk, Y. V. Koval, L. V. Yashchynskiy, S. A. Fedosov // Ядерна фізика та енергетика. - 2014. - Т. 15, № 1. - С. 66-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/yadf_2014_15_1_10 Проаналізовано вплив освітлення різної інтенсивності на зміну параметра анізотропії рухливості <$E K~=~mu sub symbol <94> over mu sub ||~=~m sub || over m sub symbol <94>~cdot~{symbol ... tau sub symbol <94> symbol ъ} over {symbol ... tau sub || symbol ъ}> в <$E gamma>-опромінених монокристалах n-Ge з неоднорідним розподілом легуючої домішки в об'ємі кристала. На підставі експериментальних і теоретичних розрахунків показано, що в <$E gamma>-опроміненому n-Ge поздовжня складова рухливості <$E mu sub ||> в окремих ізоенергетичних еліпсоїдах практично не залежить від інтенсивності освітлення. Істотна зміна поперечної складової рухливості <$E mu sub symbol <94>> за збільшення інтенсивності світла визначається зміною параметра анізотропії часів релаксації <$E K sub tau~=~{symbol ... tau sub symbol <94> symbol ъ} over {symbol ... tau sub || symbol ъ}>.
|
|
|